製品案内
Product informationスパッタリング装置 ES-250B
概要
幅広くさまざまな機能を備えた上で、構造設計上随所に工夫をして使いやすくまとめあげたスパッタ装置です。
電子デバイスの薄膜形成、TMR,GMR等の研究用に、あるいは高温超伝導体等の新しい材料の創製技術用としてご利用頂けます。
ターゲットポジショニング回転機構の開発により、１つの電極を用いて５つのターゲットのDC・RF両方式のマグネトロンスパッタが可能です。
又、基板ホルダーは回転し、速度も選択できます。
製品仕様
■ 成膜室
１．到達圧力 1.5×10⁻⁵Pa
２．基板寸法 100mm×100mm(MAX)
３．基板加熱温度 800℃
４．ヒーター ランプヒーター
５．ターゲット 2インチ×5基(標準装備）
６．排気系 TMP345L/sec R.P162L/min
■ オプション
７．ロードロック室/冷却機構付基板ホルダー / 加熱冷却機構付基板ホルダー / UHV対応型可能 / ラジカル源 /
