製品案内

本装置は、高純度のSi/Geを効率良く成膜するのに適した装置です。

低融点物質は勿論、酸化物から高融点金属まで幅広い材料が使用できる集束EBガン２基を有し、尚且つKセルも最大４本まで取り付けられます。

冷却用として、液体窒素の代わりに水を使用しておりますので、ランニングコストも非常に経済的です。

■ 成膜室

１．到達圧力 10⁻⁸Pa

２．基板寸法 2インチ

３．基板加熱温度 1000℃

４．ヒーター材質 Taヒーター

５．排気系 IP500L/sec

■ 集束EBガン

６．印加電圧 ～15ｋV、0.3A

７．フィラメント Focus、Sweep付

■ ロードロック室

８．到達圧力 10⁻⁵Pa

９．排気系 TMP210L/sec　　R.P162L/min

■ オプション

１０．RHEED　/　セル　/　膜厚モニター