製品案内

固体セルによる半導体デバイスの研究生産に、又ガスセルと組み合わせてＭＯ ＭＢＥとしてもご利用になれる標準型ＭＢＥ装置です。

■ 成膜室

１．到達圧力 10⁻⁸Pa

２．基板寸法 2インチ

３．基板加熱温度 1000℃

４．ヒーター材質 Taヒーター

５．排気系 IP500L/sec

■ ロードロック室

６．到達圧力 10⁻⁵Pa

７．排気系 TMP210L/sec　　R.P162L/min

■ オプション

８．RHEED　/　ラジカル源　/　セル　/　EBガン