製品案内

Research Report 11

概要

178 Niloy IEEE EDL w cover 875-MW_cm_Low-Resistance_NO_p-Type_Doped_Chemical_Mechanical_Planarized_Diamond_MOSFETs ダウンロード

187 Swithcing paper LED3261277 ダウンロード

188 Stress paper accepted version ダウンロード

製品仕様

入力例

■ 上部電極（ターゲット） :φ50mm　（円形）
■ 下部電極 :φ52mm
■ 試料台冷却水冷式
■ ターゲット・試料台間隔 20mm、35mm
■ イオン化電圧 : D.C.　0～1400V
■ イオン化電流 : 10ｍA（Max）電流計付
■ コーティング用電極（オプション） Au　/　Pt-Pd / Ag
■ 真空ポンプ R.P20L/min　（外置き）

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