製品案内

１. MBE装置の蒸着源として、Fe、Ga、Zn等種々の材料に使用できます。
２. 薄膜成長時にイオン化された原子のマイグレーション効果により低温成長ができます。
３. イオン化により薄膜の結晶性の向上が図られます。

■イオン化部
１. 取付けフランジ: φ114ICF
２. ベーキング: 250℃ベーカブル対応
３. シャッター: エア駆動（イオン電流モニター付）
■Ｋセル部
１. 取付けフランジ: φ70ICF
２. ルツボ容量: PBN 5cc
３. 加熱温度: 1300℃ MAX