製品案内

触媒金属の堆積から、カーボンナノチューブ（CNT）の合成まで真空中で連続して行えるように、
マルチスパッタリング装置とプラズマ化学気相堆積装置（PECVD）を一体化させました。
また、カーボンナノチューブをシリコンなどの様々な基板上に600℃以下で合成することができます。

■ チャンバー
１．到達圧力 1.5×10⁻⁵Pa以下
２．基板寸法 2インチ
３．基板加熱温度 600℃
４．ヒーター材質 ランプヒーター
５．面内回転 5,10,15RPMの3段階切り替え
６．排気系 TMP210L/sec　　R.P162L/min
７．ターゲット数 5基（1基はCVD用）
８．ターゲット寸法φ3インチ
９．ガス導入 マスフローコントローラ×3台
■ オプション
１０．ロードロックチャンバー　/　マスク交換機構　/　エミッタ評価機構　/　ラジカル源　/　膜厚計